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硅雪崩光電二極管

Si-APD的響應波長覆蓋260-1100nm。APD具有內增益機制，相比普通PIN管，能夠在反向偏壓下提供數十至數百倍的信號，在保持低暗電流的同時擁有更快的響應速度和更高的信噪比。

硅光電二極管探測范圍190-1100nm，高響應度、低暗電流，反向偏壓提升響應速度，適用于高速測量。廣泛應用于光譜分析、生化檢測、安檢、激光測距及陣列成像等精密弱光探測領域，是光電探測技術中的重要元件。

SiC-PD作為日盲型探測器，具有高可靠性、強抗輻照及低溫度系數，優于普通Si型探測器，以高響應度、低暗電流滿足紫外應用。而GaP-PD光譜覆蓋廣，自紫外至綠光，尤其擅長近紫外探測。兩者各具特色，適用于不同紫外探測需求。

紅外探測器可探測0.8μm至100μm的紅外輻射，具備高響應度和高信噪比，廣泛應用于紅外光譜、氣體分析、火焰探測、溫度傳感、航天及科研領域。我們的紅外探測材料包括Ge、PbS、PbSe、InAs、InSb、MCT等光子型探測器件，以及熱釋電和熱電堆等熱型探測器件。

單光子探測器件，基于APD蓋革模式，增益高達106-108倍，顯著提升信噪比，精準捕捉超弱光信號。我們提供GM-APD、CMOS SPADs及SIPM，三款先進單光子探測器件，滿足不同應用需求，從基礎科研到高端探測，全面覆蓋。

InGaAs-APD覆蓋1000-1630nm波長，內增益機制使其增益比普通InGaAs-PD高約30倍，尤其適合1550nm應用。我們提供多種光敏尺寸，可選配制冷、尾纖及內置前放，靈活滿足高端探測需求。

位移探測器通過橫向效應或不同像元間的電流差用來檢測光斑移動位置。分為象限探測器和PSD探測器兩種類型，象限探測器更適合于光斑對準應用，而PSD探測器更容易獲得絕對位置，根據選擇材料的不同(Si、InGaAs、MCT)可滿足不同應用需求。

雙波長探測器包含兩種材料，分別位于芯片頂部和底部，是一種能夠在兩個不同波長范圍內同時探測光信號的光電探測器。其可輸出兩路光電流信號，常用于測溫應用等參比信號測量，可提高被測物理量的精度和穩定性，擴大光譜探測范圍。

依托頂尖國際生產商與設計精英團隊，我們提供的圖像傳感器，即便在極低光強下，仍確保超高清畫質與超寬HDR展現。提供全方位定制化服務，靈活融入各類應用場景，精準滿足客戶需求，引領視覺科技新高度。

液位傳感器是一種重要的測量裝置，用于將液位高度轉化為電信號輸出。它結構簡單、安裝方便，具有穩定性好、可靠性高、經濟耐用的特點。常見類型包括光電式、電容式、超聲波式等，各類型傳感器在不同領域有廣泛應用，如制造業、汽車工業及家用電器等。