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Si_InGaAs_PbS探測(cè)器主要用于遠(yuǎn)程溫度測(cè)量。通過(guò)比較兩個(gè)相鄰波長(zhǎng)的輻射強(qiáng)度與標(biāo)準(zhǔn)黑體輻射曲線，可以測(cè)量溫度，且不受發(fā)射率和視場(chǎng)等因素影響。頂部材料吸收較短波長(zhǎng)的光子，而底部材料吸收較長(zhǎng)波長(zhǎng)的光子，最終輸出兩路光電流信號(hào)。

IS_MCT的構(gòu)造是為了響應(yīng)不同但相鄰的紅外光譜區(qū)域而設(shè)計(jì)，一個(gè)元件具有短波長(zhǎng)響應(yīng)，而另一個(gè)元件對(duì)長(zhǎng)波長(zhǎng)輻射做出響應(yīng)。InSb元件相應(yīng)范圍為1μm至5.5μm，HgCdTe元件對(duì)5.5μm至12.5μm的輻射響應(yīng)。

波長(zhǎng)探測(cè)模塊是基于硅光電二極管技術(shù)的波長(zhǎng)傳感器，該傳感器通過(guò)垂直疊加兩個(gè)光電二極管而形成整體結(jié)構(gòu)，通常配合激光或LED使用。該模塊夠精準(zhǔn)地獲取光譜信息，適用于需要精確測(cè)量光源波長(zhǎng)、識(shí)別特定光譜特征或進(jìn)行光譜分析的應(yīng)用。