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銻化銦/碲鎘汞(IS/MCT)

IS_MCT的構造是為了響應不同但相鄰的紅外光譜區域而設計，一個元件具有短波長響應，而另一個元件對長波長輻射做出響應。InSb元件相應范圍為1μm至5.5μm，HgCdTe元件對5.5μm至12.5μm的輻射響應。

型號	探測器材料-底層	探測器材料	光敏尺寸	光敏尺寸-底層	響應波長-范圍	響應波長范圍-底層	響應度-峰值	響應度-底層	比探測率	比探測率-底層	制冷溫度	封裝	封裝類型	引腳數	窗口	原廠封裝	工作模式
2C-.25	InSb	MCT	?0.25 , 0.25x0.25 mm	0.25x0.25 mm	1 … 5.5 μm	5.5 … 12.5 μm	>3A/W	>5000V/W	>1.0E+11cm√Hz/W	>3.0E+10cm√Hz/W	77K	MDL-8,MDL-12,MSL-8,MSL-12	Special	/	ZnSe	MDL-8,MDL-12MSL-8,MSL-12	/
2C-.5	InSb	MCT	?0.5 , 0.5x0.5 mm	0.5x0.5 mm	1 … 5.5 μm	5.5 … 12.5 μm	>3A/W	>3000V/W	>1.0E+11cm√Hz/W	>3.0E+10cm√Hz/W	77K	MDL-8,MDL-12,MSL-8,MSL-12	Special	/	ZnSe	MDL-8,MDL-12MSL-8,MSL-12	/
2C-1	InSb	MCT	?1 , 1.0x1.0 mm	1.0x1.0 mm	1 … 5.5 μm	5.5 … 12.5 μm	>3A/W	>2000V/W	>1.0E+11cm√Hz/W	>3.0E+10cm√Hz/W	77K	MDL-8,MDL-12,MSL-8,MSL-12	Special	/	ZnSe	MDL-8,MDL-12MSL-8,MSL-12	/
2C-2	InSb	MCT	?2 , 2.0x2.0 mm	2.0x2.0 mm	1 … 5.5 μm	5.5 … 12.5 μm	>3A/W	>1000V/W	>1.0E+11cm√Hz/W	>2.0E+10cm√Hz/W	77K	MDL-8,MDL-12,MSL-8,MSL-12	Special	/	ZnSe	MDL-8,MDL-12MSL-8,MSL-12	/