Si-APD的響應(yīng)波長覆蓋260-1100nm。APD具有內(nèi)增益機制，相比普通PIN管，能夠在反向偏壓下提供數(shù)十至數(shù)百倍的信號，在保持低暗電流的同時擁有更快的響應(yīng)速度和更高的信噪比。

硅光電二極管探測范圍190-1100nm，高響應(yīng)度、低暗電流，反向偏壓提升響應(yīng)速度，適用于高速測量。廣泛應(yīng)用于光譜分析、生化檢測、安檢、激光測距及陣列成像等精密弱光探測領(lǐng)域，是光電探測技術(shù)中的重要元件。

SiC-PD作為日盲型探測器，具有高可靠性、強抗輻照及低溫度系數(shù)，優(yōu)于普通Si型探測器，以高響應(yīng)度、低暗電流滿足紫外應(yīng)用。而GaP-PD光譜覆蓋廣，自紫外至綠光，尤其擅長近紫外探測。兩者各具特色，適用于不同紫外探測需求。

紅外探測器可探測0.8μm至100μm的紅外輻射，具備高響應(yīng)度和高信噪比，廣泛應(yīng)用于紅外光譜、氣體分析、火焰探測、溫度傳感、航天及科研領(lǐng)域。我們的紅外探測材料包括Ge、PbS、PbSe、InAs、InSb、MCT等光子型探測器件，以及熱釋電和熱電堆等熱型探測器件。

單光子探測器件，基于APD蓋革模式，增益高達106-108倍，顯著提升信噪比，精準捕捉超弱光信號。我們提供GM-APD、CMOS SPADs及SIPM，三款先進單光子探測器件，滿足不同應(yīng)用需求，從基礎(chǔ)科研到高端探測，全面覆蓋。

InGaAs-APD覆蓋1000-1630nm波長，內(nèi)增益機制使其增益比普通InGaAs-PD高約30倍，尤其適合1550nm應(yīng)用。我們提供多種光敏尺寸，可選配制冷、尾纖及內(nèi)置前放，靈活滿足高端探測需求。

位移探測器通過橫向效應(yīng)或不同像元間的電流差用來檢測光斑移動位置。分為象限探測器和PSD探測器兩種類型，象限探測器更適合于光斑對準應(yīng)用，而PSD探測器更容易獲得絕對位置，根據(jù)選擇材料的不同(Si、InGaAs、MCT)可滿足不同應(yīng)用需求。

雙波長探測器包含兩種材料，分別位于芯片頂部和底部，是一種能夠在兩個不同波長范圍內(nèi)同時探測光信號的光電探測器。其可輸出兩路光電流信號，常用于測溫應(yīng)用等參比信號測量，可提高被測物理量的精度和穩(wěn)定性，擴大光譜探測范圍。

依托頂尖國際生產(chǎn)商與設(shè)計精英團隊，我們提供的圖像傳感器，即便在極低光強下，仍確保超高清畫質(zhì)與超寬HDR展現(xiàn)。提供全方位定制化服務(wù)，靈活融入各類應(yīng)用場景，精準滿足客戶需求，引領(lǐng)視覺科技新高度。

液位傳感器是一種重要的測量裝置，用于將液位高度轉(zhuǎn)化為電信號輸出。它結(jié)構(gòu)簡單、安裝方便，具有穩(wěn)定性好、可靠性高、經(jīng)濟耐用的特點。常見類型包括光電式、電容式、超聲波式等，各類型傳感器在不同領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，如制造業(yè)、汽車工業(yè)及家用電器等。

壓力傳感器能夠準確檢測并轉(zhuǎn)換壓力信號為電信號，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備、航空航天等領(lǐng)域。它具備高精度、快速響應(yīng)和穩(wěn)定性好的特點，是自動化系統(tǒng)和安全監(jiān)測中不可或缺的關(guān)鍵元件。可提供芯片、封裝、模塊等產(chǎn)品。

SIPM是由微型蓋革APD組成的面陣，能響應(yīng)300nm到900nm的光譜，具有高達106倍的增益和卓越的定時性能，可實現(xiàn)單光子等級的探測。此外，SIPM適合低壓工作，具有很強的溫度穩(wěn)定性、抗磁能力和可靠性，可替代傳統(tǒng)的光電倍增管(PMT)。

提供多類型光電探測器模塊，包括即插即用型（含完整電路與接口）及小型OEM集成模塊，覆蓋全波段并提供陣列模塊以適應(yīng)復(fù)雜光學系統(tǒng)。支持根據(jù)具體需求優(yōu)化與定制OEM模塊，詳情請致電咨詢。