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AdvanSiD  關(guān)于我們先進硅探測器 經(jīng)過100%的合并，Optoi Group創(chuàng)立的初創(chuàng)公司AdvanSiD自12月1日起成為Cefla的一部分。為了加強Cefla的專業(yè)知識和技術(shù)技能，收購這家初創(chuàng)公司意味著有機會擴展AdvanSiD開發(fā)的LuXimos數(shù)字X射線傳感器和硅光電倍增管技術(shù)。AdvanSiD自2010年以來一直是位于特倫托的Bruno Kessler基金會FBK的一部分，在硅輻射探測器的研發(fā)方面擁有超過15年的經(jīng)驗。 此次合并與Cefla醫(yī)療設(shè)備業(yè)務(wù)部門銷售的解決方案完美整合，在技術(shù)回報方面具有巨大潛力。100%意大利制造的使能技術(shù)以及控制上游技術(shù)鏈的能力是此次收購背后的兩個驅(qū)動因素。 硅技術(shù) AdvanSiD為其光電倍增管提供了兩種硅技術(shù)： RGB SiPM技術(shù)：用于檢測可見光的N-on-P硅光電倍增管 NUV SiPM技術(shù)：用于檢測近紫外光的P-on-N硅光電倍增管。從2014年第四季度開始提供極低噪音、超低后脈沖NUV技術(shù)。 RGB和NUV SiPM的p/n結(jié)特性不同，并且具有不同的光譜響應(yīng)以滿足特定的應(yīng)用要求。RGB和NUV SiPM也是考慮到通常用于檢測伽馬射線和X射線的不同類型的閃爍晶體而設(shè)計的。 RGB和NUV SiPM具有低暗計數(shù)率、非常高的擊穿均勻性、高溫穩(wěn)定性、非常低的時間抖動等特點。 SiPM產(chǎn)品 AdvanSiD提供金屬TO外殼或塑料芯片級封裝的高性能SiPM。 單通道SiPM有四種尺寸：1×1、3×3、4×4mm2方形有源區(qū)和直徑1.2mm圓形有源區(qū)。 多像素SiPM陣列有兩種格式：具有1.5 mm或3 mm SiPM間距的單片SiPM陣列，以及具有3×3 mm2或4×4 mm2元件的混合SiPM陣列。 新發(fā)展-SiPM研發(fā) AdvanSiD依賴于特倫托Bruno Kessler基金會（FBK）開發(fā)的SiPM技術(shù)。2010年，經(jīng)過近10年的研究和該領(lǐng)域的經(jīng)驗，F(xiàn)BK的硅輻射傳感器部門將其已建立的SiPM技術(shù)轉(zhuǎn)讓給了新成立的分拆公司AdvanSiD。 SRS研究小組的活動側(cè)重于SiPM技術(shù)的研發(fā)，在從最初的SiPM探測器發(fā)展而來方面取得了顯著成果。